特許
J-GLOBAL ID：200903094779629392
集束イオンビーム装置および試料前処理方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
,
代理人 (1件)：
小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-314459
公開番号（公開出願番号）：特開平8-171882
出願日： 1994年12月19日
公開日（公表日）： 1996年07月02日
要約：
【要約】【構成】集束イオンビーム装置において、イオンビーム照射位置に試料10とコーティング物質11を随時真空外より入れ替えて設置可能な機構を有し、試料室内でイオンビーム9によるスパッタリング現象を用いて試料表面にコーティング膜を形成する。【効果】加工時のチャージアップ防止,試料表面の保護のための前処理が短時間で可能となり、また加工精度の向上が期待できる。また、コーティング物質が自由に選択できるため、加工領域のX線分析精度が向上する。
請求項（抜粋）：
イオンビーム照射位置に試料およびコーティング物質を交互に配置可能な機構を有し、前記イオンビームによる試料加工および試料へのコーティングを随時切り替え実施することの可能なことを特徴とする集束イオンビーム装置。
IPC (3件)：
H01J 37/20
, H01J 37/252
, H01J 37/317
