特許

J-GLOBAL ID：200903094788119615

化学気相成長方法

発明者： 記村 隆章 ,  山内 英彰
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 柏谷 昭司 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-335054
公開番号（公開出願番号）：特開平7-201739
出願日： 1993年12月28日
公開日（公表日）： 1995年08月04日
要約：

【要約】【目的】 化学気相成長方法に関し、チタン酸ストロンチウム薄膜を成長させるに際して、CVD装置の部品に高温仕様の特殊なものを用いなくても済むようにし、また、CVD成長を行う場合のガス化温度に於いて原料の重合や分解が発生しないようにして安定で再現性が良いCVD成長を実現させようとする。【構成】 90〔°C〕〜150〔°C〕の温度で気化させたペンタメチルシクロペンタジエニールストロンチウム・THFアダクト(Sr〔(CH3 )5 C5 〕2・THFn )(nは整数)を原料にチタン酸ストロンチウム薄膜を成長させる。

請求項（抜粋）：

90〔°C〕乃至150〔°C〕の温度で気化させたペンタメチルシクロペンタジエニールストロンチウム・THFアダクト(Sr〔(CH3 )5 C5 〕2 ・THFn )(nは整数)を原料としてチタン酸ストロンチウム膜を成長させることを特徴とする化学気相成長方法。

IPC (2件)：

H01L 21/205 ,  C23C 16/40