特許
J-GLOBAL ID：200903094792350283
Crのエッチング方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴木 喜三郎 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-027661
公開番号（公開出願番号）：特開平11-229165
出願日： 1998年02月09日
公開日（公表日）： 1999年08月24日
要約：
【要約】【課題】 エッチング速度を高めて製造効率を向上させることができるとともに、エッチング速度を均一にすることによってパターニング精度を高めることのできるCrのエッチング方法を提供する。【解決手段】 ガス流量比が0.2〜0.5の領域において、エッチング速度及び均一性の双方が大きく変化し、また、ガス流量比が2.1以上でもエッチング速度及び均一性の双方が大きく変化する。したがって、エッチング速度が大きく、しかもエッチング速度の均一性が良好な範囲としては、ガス流量比が0.5〜2.1の範囲となる。このように従来よりも小さいガス流量比の領域において、エッチング速度及びその均一性の双方が急激に向上することを発見し、当該領域においてエッチング工程を行うことにより、スループットの大幅な向上と、パターン精度の向上とを再現性良く得ることができる。
請求項（抜粋）：
塩素ガス及び酸素ガスを含む反応ガスをプラズマ化して生成した活性化ガスによりCrをエッチングするエッチング方法において、前記塩素ガスに対する前記酸素ガスのガス流量比を0.5〜2.1の範囲内に設定して行うことを特徴とするCrのエッチング方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
C23F 4/00 E
, H01L 21/302 F
