特許
J-GLOBAL ID：200903094795864121
半導体発光素子
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-038160
公開番号（公開出願番号）：特開平7-249821
出願日： 1994年03月09日
公開日（公表日）： 1995年09月26日
要約：
【要約】【目的】 GaN系材料と格子整合しGaNよりも狭いバンドギャップを有する化合物半導体材料を実現し、ヘテロ接合形成により特に高輝度半導体レーザを実現する。【構成】 SiC基板41上に、n-GaNバッファ層48を介して、nクラッド層43,発光層44及びpクラッド層45からなるダブルヘテロ接合構造を形成した半導体レーザにおいて、クラッド層42,44としてGaNを用い、発光層43としてGaNのGaの一部をZnとGeで交互に置換したZnGeGaNを用いたことを特徴とする。
請求項（抜粋）：
II族原子A,IV族原子B,III 族原子C,及び窒素原子Nからなり、組成式A<SB>x</SB> B<SB>x</SB> C<SB>y</SB> N<SB>2x+y</SB>(0<x≦1,0≦y<1)にて表される化合物半導体を発光層としたことを特徴とする半導体発光素子。
引用特許：
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