特許

J-GLOBAL ID：200903094799513323

半導体装置

発明者： 茂木 亮 ,  石井 利昭 ,  小角 博義
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 平木 祐輔
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-002319
公開番号（公開出願番号）：特開平11-199754
出願日： 1998年01月08日
公開日（公表日）： 1999年07月27日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】 温度サイクル性及び耐はんだリフロー性に優れた半導体装置を提供する。【解決手段】 (a)エポキシ樹脂、(b)硬化剤、(c)硬化促進剤、(d)式(I)(式中、Xは炭素数1〜5のアルコキシ基を表し、Yはエポキシ基または水酸基を表し、Zはポリエーテル基を表し、l,m,n,oはそれぞれ正の整数を表す)で表されるシリコーン化合物、(e)特定のアルコキシシラン含有化合物、並びに(f)無機質充填剤を必須成分とするエポキシ樹脂組成物、並びに前記エポキシ樹脂組成物で封止されていることを特徴とする半導体装置。

請求項（抜粋）：

(a)エポキシ樹脂、(b)硬化剤、(c)硬化促進剤、(d)式(I)【化1】(式中、Xは炭素数1〜5のアルコキシ基を表し、Yはエポキシ基または水酸基を表し、Zはポリエーテル基を表し、l,m,n,oはそれぞれ正の整数を表す)で表されるシリコーン化合物、(e)式(II)【化2】(式中、R1はメチル基またはエチル基を表し、R2はエポキシ基を表す)及び/または式(III)【化3】(式中、R1はメチル基またはエチル基を表し、R2はアミノ基またはメルカプト基を表す)で表されるアルコキシシラン含有化合物、並びに(f)無機質充填剤を必須成分とし、(a)100重量部に対する(d)及び(e)の重量割合をそれぞれA、Bとすると、0.5≦A+B≦20かつ0.1≦A/B≦20であり、無機質充填剤の充填量が85.0容積%以上であることを特徴とするエポキシ樹脂組成物。

IPC (7件)：

C08L 63/00 ,  C08K 13/02 ,  C08L 83/06 ,  H01L 23/29 ,  H01L 23/31 ,  C08K 5:54 ,  C08K 3:36

FI (4件)：

C08L 63/00 A ,  C08K 13/02 ,  C08L 83/06 ,  H01L 23/30 R