特許

J-GLOBAL ID：200903094805999195

半導体レーザ装置

発明者： 小野 健一 ,  山下 光二
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 高田 守 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-222914
公開番号（公開出願番号）：特開平5-063297
出願日： 1991年09月03日
公開日（公表日）： 1993年03月12日
要約：

【要約】【目的】 埋込みリッジ型半導体レーザ装置において、リッジ状エッチングによる上クラッド層厚のばらつきがあっても水平ビームの広がり角がばらつかないような半導体レーザ装置を得る。【構成】 上,下クラッド層(Al1-y Gay As)4,2のAl組成比を活性層3から離れるにつれ大きくなるように構成することにより、電流ブロック層5部分の等価屈折率n-ikを制御することを特徴としている。

請求項（抜粋）：

上クラッド層,活性層,下クラッド層を備えたAlx Ga1-x As系の埋込みリッジ型半導体レーザ装置において、前記上クラッド層と下クラッド層の組成を前記活性層から離れるにつれてAl組成比が大きくなるように構成したことを特徴とする半導体レーザ装置。

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平2-174178
  
• 特開平1-175285
  
• 特開昭61-090489