特許

J-GLOBAL ID：200903094807765531

アバランシェ・フォト・ダイオード及びその製造方法

発明者： 万代 雅昭 ,  吉野 朋之 ,  赤嶺 忠男 ,  斉藤 豊 ,  山中 順子 ,  小関 修
出願人/特許権者： セイコー電子工業株式会社
代理人 (1件)： 林 敬之助
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-203061
公開番号（公開出願番号）：特開平8-111542
出願日： 1995年08月09日
公開日（公表日）： 1996年04月30日
要約：

【要約】【課題】 検出感度および時間分解能のよいアバランシェ・フォト・ダイオードを提供する。【解決手段】 FZ-SOI基板にアバランシェ・フォト・ダイオードを設け、基板の一部を除去してFZ基板を露出させ、その面に浅い拡散層を形成し、基板とガラス基板を陽極接合法や低融点ガラス等の脱ガスの無い接合方法で接合し、更にガラス基板とICパッケージを低融点ガラスや共晶接合法等の脱ガスの無い接合方法で接合する。また、ICパッケージのリードピンとガラス基板に形成した電極を電気的接続することも可能である。更に、X線等を検出するためにはガラス基板とICパッケージに貫通穴を形成する。

請求項（抜粋）：

第1の基板(1)上に第1の絶縁膜(5)を有し、該絶縁膜(5)上に結晶成長されたシリコン半導体基板(FZ基板)からなる第2の基板(2)(以上まとめてSOI基板という)を有し、該第2の基板(2)にはPN接合が形成されており、該PN接合に電圧を印加するための電極(3a、3b)が第2の基板(2)の表面上に第2の絶縁膜(7)を挟んで形成されており、前記第1の基板(1)とガラス基板(4)を接合し、該ガラス基板(4)の第1の基板と接合していない面をICパッケージ(8)に接合し、前記電極(3a、3b)とICパッケージ(8)のリードピン(10)を電気的に接続したことを特徴とするアバランシェ・フォト・ダイオード。

IPC (2件)：

H01L 31/107 ,  H01L 31/02

FI (2件)：

H01L 31/10 B ,  H01L 31/02 B

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 光電変換装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-096467   出願人：キヤノン株式会社