特許

J-GLOBAL ID：200903094808369877

回路パタ-ン転写方法、イメ-ジフィ-ルド決定方法及び縮小投影露光装置

発明者： 塙 哲郎
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 吉田 茂明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-373737
公開番号（公開出願番号）：特開2000-195783
出願日： 1998年12月28日
公開日（公表日）： 2000年07月14日
要約：

【要約】【課題】 縮小投影レンズのうち回路パターンの転写に際して収差の影響の強い部分を露光に用いないようにして歩留まりを向上させる。【解決手段】 ウェハ上のレジストに対する最大露光可能領域FDのうち縮小投影レンズの収差の影響を強く受ける無効露光領域NG1を予め調査しておき、その部分を最大露光可能領域FDから除外した範囲を有効露光領域OK1とする。そして、有効露光領域OK1のうちで欠陥なく転写されるチップパターンCPbの集まった部分をイメージフィールドIMとする。イメージフィールドIMを形成するには、ステッパのブラインド機構を利用するか、または新たなフォトマスクを製作すればよい。

請求項（抜粋）：

縮小投影レンズを備える縮小投影露光装置に、被転写物と、回路パターンを備える第1のフォトマスクとを設置する第1の工程と、前記縮小投影レンズが前記被転写物に対して一回で露光することが可能な最大露光可能領域における、前記縮小投影レンズの有する収差の影響の分布を調査する第2の工程と、前記最大露光可能領域のうち、前記収差の影響が一定値以上の領域を第1の領域とし、前記第1の領域を含む部分を無効露光領域とし、前記最大露光可能領域から前記無効露光領域を除いた部分を有効露光領域として決定する第3の工程と、多くとも前記有効露光領域を一回の露光操作の対象となる範囲として前記被転写物に露光する第4の工程とを備える回路パターン転写方法。

IPC (2件)：

H01L 21/027 ,  G03F 7/20 521

FI (2件)：

H01L 21/30 515 D ,  G03F 7/20 521

Fターム (5件)：

5F046AA25 ,  5F046BA04 ,  5F046CB05 ,  5F046CB17 ,  5F046DA14