特許

J-GLOBAL ID：200903094809834930

半導体基板の表面処理方法及び処理装置

発明者： 小嶋 寿夫 ,  松原 温子 ,  大倉 理 ,  糸賀 敏彦 ,  ▲高▼濱 ▲高▼
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 薄田 利幸
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-241032
公開番号（公開出願番号）：特開平9-082679
出願日： 1995年09月20日
公開日（公表日）： 1997年03月28日
要約：

【要約】【目的】半導体基板表面を常温常圧下で、高清浄な状態にする処理方法と処理装置とを実現する。【構成】半導体基板1の表面に、チャンバー12内で酸化性気相雰囲気中にて光源5から紫外線を照射し酸化膜を形成する工程と、酸化膜をフッ化水素酸を主成分とする洗浄液で溶解除去する工程とを有する表面処理方法であって、酸化膜を形成する工程を、アンモニア成分を含む酸化性気相雰囲気中にて紫外線を照射する工程で構成する。酸化膜の除去は、塩酸及び過酸化水素の少なくとも1種を添加したフッ化水素酸洗浄液で洗浄することが望ましい。【効果】酸化膜形成に使用するガス及び試薬の量は、従来の湿式法に比べ数十分の1と格段に少なく、廃液処理を含めたコストは大幅に低減できる。

請求項（抜粋）：

半導体基板の表面に酸化性気相雰囲気中にて紫外線を照射し酸化膜を形成する工程と、酸化膜をフッ化水素酸を主成分とする洗浄液で溶解除去する工程とを有して成る半導体基板の表面処理方法において、前記酸化膜を形成する工程を、アンモニア成分を含む酸化性気相雰囲気中にて紫外線を照射する工程で構成して成る半導体基板の表面処理方法。

IPC (3件)：

H01L 21/304 341 ,  H01L 21/3065 ,  H01L 21/316

FI (3件)：

H01L 21/304 341 Z ,  H01L 21/316 A ,  H01L 21/302 N