接続孔の形成方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：小池晃 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-239537
公開番号（公開出願番号）：特開平6-089883
出願日： 1992年09月08日
公開日（公表日）： 1994年03月29日
要約：

【要約】【目的】堆積物を生成する反応系で絶縁膜をエッチングして接続孔を形成する際に、オーバーエッチング(O/E)時の接続孔のエッチング形状の劣化を防止する。【構成】下層配線1上のSiO2 層間絶縁膜2を、c-C4 F8 /S2 F2 混合ガスを用いてレジスト・マスク3の開口部4,5を介してエッチングする。このエッチングでは、S2 F2 から解離生成したSからなる堆積物層6が形成されるが、先に完成する浅いビアホール2aの内部では、深いビアホール2bの内部に比べて堆積物層6が過剰となり易い。特にレジスト・マスクの開口端面上に厚い堆積物層6があると、O/E時にそのパターンがビアホール2aの側壁面に転写され、ひだ状の凹凸を生ずる。そこで、ウェハ加熱、O2 プラズマ処理、斜めイオン照射のいずれかの方法で堆積物層6を一旦除去した後、O/Eを行う。

請求項（抜粋）：

下層配線材料層上に積層された絶縁膜をエッチング・マスクの開口部を介して選択的にドライエッチングすることにより接続孔を開口する接続孔の形成方法において、エッチング反応系内に生成する堆積性物質を被エッチング領域に堆積させながら前記絶縁膜を途中までエッチングする工程と、少なくとも前記エッチング・マスクの開口端面上に堆積した前記堆積性物質を除去する工程と、前記絶縁膜の残余部をエッチングする工程とを有することを特徴とする接続孔の形成方法。

IPC (3件)：

H01L 21/302 , H01L 21/28 , H01L 21/90

引用特許：

審査官引用 (5件)

特開平3-262122
特開平4-233225
特開平4-237124

全件表示

前のページに戻る