特許

J-GLOBAL ID：200903094810533196

弾性表面波装置とその周波数特性調整方法

発明者： ウー ホクホア
出願人/特許権者： 沖電気工業株式会社
代理人 (1件)： 柿本 恭成
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-038651
公開番号（公開出願番号）：特開平8-237058
出願日： 1995年02月27日
公開日（公表日）： 1996年09月13日
要約：

【要約】【目的】 弾性表面波装置の中心周波数を所望の値にする。【構成】 圧電基板11上のすだれ状のIDT15の上には、絶縁膜20と強磁性体の薄膜21が形成されている。圧電基板11が例えば強磁性体のステムに搭載され、該圧電基板11に垂直方向の静磁界がかけられる。静磁界によって、強磁性体の薄膜21とステムが永久磁石化され、磁気引力によって圧電基板11の表面圧力が増加する。また、永久磁石化されているので、静磁界から解放した状態でも強磁性体の薄膜21とステム間には磁気引力が残り、圧電基板11の表面圧力が常に一定に調整される。表面圧力の増加で弾性表面波の伝搬速度が変化し、所望の中心周波数が得られる。

請求項（抜粋）：

圧電基板上にすだれ状に形成され、与えられた高周波信号に基づき弾性表面波を励振するトランスデューサを備えた弾性表面波装置において、前記トランスデューサの上に堆積された絶縁膜と、前記絶縁膜上に形成され所定の残留磁気と保磁力を有する強磁性体の薄膜とを、設けたことを特徴とする弾性表面波装置。

IPC (3件)：

H03H 3/10 ,  H03H 9/145 ,  H03H 9/25

FI (3件)：

H03H 3/10 ,  H03H 9/145 C ,  H03H 9/25 C