特許

J-GLOBAL ID：200903094812961209

ナノスケール導電性コネクタの製造方法

発明者： クン ムーン チョイ ,  スンゴ ジン
出願人/特許権者： ルーセント テクノロジーズ インコーポレイテッド
代理人 (1件)： 三俣 弘文
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-215599
公開番号（公開出願番号）：特開2001-102381
出願日： 2000年07月17日
公開日（公表日）： 2001年04月13日
要約：

【要約】【課題】 独立型の、長さの均等なナノスケール導電性コネクタを提供する。【解決手段】 本発明によると、除去可能な基板上に、適当な条件下において整列したナノ導電体を成長させる。さらに除去可能な犠牲層の使用によって成長したナノ導電体の長さを均等化する。基板、および犠牲層の除去によって、独立型の長さの均等なナノスケール導電性コネクタを得る。ナノスケールコネクタは、マイクロ素子の電気的相互接続に有用である。

請求項（抜粋）：

a)除去可能な基板を用意するステップと、b)基板上に整列したナノ導電体を成長させるステップと、c)基板上に成長したナノ導電体の長さを均等化するステップと、d)基板を除去して、独立型の長さの等しいナノ導電体を残留させるステップからなることを特徴とするナノスケール導電性コネクタの製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/3205 ,  B82B 3/00 ,  H01L 21/60 321

FI (3件)：

B82B 3/00 ,  H01L 21/60 321 E ,  H01L 21/88 A