特許

J-GLOBAL ID：200903094813896290

マグネティック・ランダム・アクセス・メモリ

発明者： 小野 裕司 ,  吉田 栄吉 ,  増本 敏昭
出願人/特許権者： 株式会社トーキン
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-249452
公開番号（公開出願番号）：特開2002-064189
出願日： 2000年08月21日
公開日（公表日）： 2002年02月28日
要約：

【要約】【課題】 ノイズ発生が少なく、同時にノイズ耐性が高く、実質的に高速のデータ読み出し及び書き込みが可能な、大容量の不揮発性メモリを提供すること。【解決手段】 グラニュラー磁性薄膜などから成る高周波電流抑制体をマグネティック・ランダム・アクセス・メモリ(MRAM)の内部構造として、あるいはモールド体の少なくとも一部に含ませる。

請求項（抜粋）：

磁性体の記憶素子と半導体素子によってメモリ・セルを構成するマグネティック・ランダム・アクセス・メモリ(MRAM)において、その内部構造に高周波電流抑制体を付加して成ることを特徴とするメモリ。

IPC (6件)：

H01L 27/105 ,  G11C 11/15 ,  H01F 10/00 ,  H01F 10/16 ,  H01F 10/18 ,  H01L 43/08

FI (6件)：

G11C 11/15 ,  H01F 10/00 ,  H01F 10/16 ,  H01F 10/18 ,  H01L 43/08 Z ,  H01L 27/10 447

Fターム (12件)：

5E049AA01 ,  5E049AA04 ,  5E049AA07 ,  5E049AA09 ,  5E049AC05 ,  5E049BA06 ,  5E049BA27 ,  5E049CB02 ,  5F083FZ10 ,  5F083GA01 ,  5F083GA13 ,  5F083ZA23