特許

J-GLOBAL ID：200903094814515575

ケミカルメカニカル平坦化システム

発明者： ジェイムズ ヴイ. ティエッツ ,  シジアン リー ,  マヌーチャ ビラング ,  ジョン エム. ホワイト ,  ローレンス エム. ローゼンバーグ ,  マーティ スケイルズ ,  ラミン エマミ
出願人/特許権者： アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド
代理人 (1件)： 長谷川 芳樹 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-135067
公開番号（公開出願番号）：特開2000-353677
出願日： 2000年05月08日
公開日（公表日）： 2000年12月19日
要約：

【要約】【課題】 ケミカルメカニカルポリシングシステムにおける固定砥粒パッドの消耗を最小限に抑えるシステムを提供する。【解決手段】 プラテン230およびプラテン上に配置されたポリシング材252のウェブ402を一般に含む、基板122を研磨するための半導体基板処理システムである。システムの各態様には、ポリシング材上に第一および第二研磨流体をそれぞれ供給する第一流体送出アームおよび第二流体送出アームが含まれる。センサ226は、ポリシングプロセスの温度を表す信号を生成する。任意であるが、この信号は、例えばプラテンまたは研磨ヘッドの内部に供給される熱伝達流体の温度を変えたり、研磨流体の温度を変えたり、研磨流体の化学成分を調整したりすることによってポリシング測定基準を調整するために利用される。

請求項（抜粋）：

半導体基板ポリシング用の装置であって、研磨プラテンと、前記研磨プラテン上に配置された少なくとも第一の部分を有し、上流部分および下流部分を有するポリシング材と、前記ポリシング材の上流部分に第一の研磨流体を供給する第一研磨流体送出管と、前記ポリシング材の下流部分に第二の研磨流体を供給する第二研磨流体送出管と、を備える装置。

IPC (3件)：

H01L 21/304 622 ,  H01L 21/304 ,  B24B 37/00

FI (7件)：

H01L 21/304 622 E ,  H01L 21/304 622 C ,  H01L 21/304 622 F ,  H01L 21/304 622 R ,  H01L 21/304 622 S ,  B24B 37/00 K ,  B24B 37/00 J