特許

J-GLOBAL ID：200903094815971566

半導体発光素子

発明者： 手塚 勉
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-238756
公開番号（公開出願番号）：特開平9-083065
出願日： 1995年09月18日
公開日（公表日）： 1997年03月28日
要約：

【要約】【課題】キャリアの緩和を促進し、変調帯域を拡大し、高効率化を達成できる半導体発光素子を提供することを目的とする。【解決手段】量子ドット構造を有する活性層と、前記活性層と少なくとも一部で接触するように設けられた量子井戸層とを具備し、前記量子井戸層は間接遷移半導体材料で構成されており、前記量子井戸層における発光再結合を抑制することを特徴としている。また、上記活性層と上記量子井戸層との間にトンネルバリア層を設けてなることを特徴としている。

請求項（抜粋）：

量子ドット構造を有する活性層と、前記活性層と少なくとも一部で接触するように設けられた量子井戸層とを具備し、前記量子井戸層は間接遷移半導体材料で構成されており、前記量子井戸層における発光再結合を抑制することを特徴とする半導体発光素子。