特許

J-GLOBAL ID：200903094843906168

液晶表示装置とその製造方法

発明者： 西川 龍司
出願人/特許権者： 三洋電機株式会社
代理人 (1件)： 西野 卓嗣
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-214088
公開番号（公開出願番号）：特開平7-064112
出願日： 1993年08月30日
公開日（公表日）： 1995年03月10日
要約：

【要約】【目的】 正スタガー型のa-SiTFTを用いたアクティブマトリク液晶表示装置において、ITOよりなるソース・ドレイン配線のエッジ部をテーパー加工することにより、a-Siの膜欠陥を防止し、TFT特性の安定化を達成する。【構成】 ITO(11)膜上に、塩酸と塩化第2鉄の混合液よりなるエッチャントで、ITO(11)よりもエッチングレートの早いMo(20M)またはAl(20A)を積層し、Mo/ITOまたはAl/ITOのウエットエッチを行うことにより、ITO(11)膜をテーパー状にパターニングする。また、ITO(11)のスパッタリングの際に、条件設定を変えて、通常のITO膜上に、それよりもエッチングレートの早いITO膜を形成してウエットエッチを行うことにより、ITO膜をテーパー状にパターニングする。

請求項（抜粋）：

透明な絶縁性基板上にマトリクス状に設けられた表示電極と、前記表示電極の列間に設けられたドレインラインと、前記表示電極の行間に設けられたゲートラインと、前記ドレインラインと一体のドレイン電極、前記表示電極と一体のソース電極、前記ドレイン電極及び前記ソース電極を覆うa-Si層、前記ゲートラインと一体で、絶縁膜を介して前記a-Si層に対向して配置されたゲート電極より構成される薄膜トランジスタを有する液晶表示装置であって、前記ドレイン電極及び前記ソース電極はITOからなり、エッジ部の断面がテーパー状に形成されており、かつ、前記ドレイン電極と前記a-Si層の接続部分、及び、前記ソース電極と前記a-Si層との接続部分には、N+a-Si層が介在されていることを特徴とする液晶表示装置。

IPC (4件)：

G02F 1/136 500 ,  G02F 1/1335 ,  H01L 29/40 ,  H01L 29/786

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開昭63-100777
  
• 特開平2-008821
  
• 特開昭63-236365