特許

J-GLOBAL ID：200903094844470452

半導体構成素子用の縁構造及びドリフト領域体及び半導体構成素子用の縁構造及びドリフト領域体の製造方法

発明者： イェネ ティハニー
出願人/特許権者： シーメンス アクチエンゲゼルシヤフト
代理人 (1件)： 矢野 敏雄 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-245543
公開番号（公開出願番号）：特開2000-101082
出願日： 1999年08月31日
公開日（公表日）： 2000年04月07日
要約：

【要約】【課題】 両導電型のドーピングの全量を正確に同じにする必要はなくて、高いアバランシェ強度によって特徴付けられる半導体構成素子用の縁構造及びドリフト領域体を提供し、更に、製造方法を提供すること。【解決手段】 一方の導電型の半導体部を有する、半導体構成素子用の縁構造及びドリフト領域体において、縁領域内に、相互に種々異なる少なくとも2つの面に、他方の導電型の多数の領域が埋め込まれており、領域は、半導体構成素子の活性ゾーンのほぼ下側の領域内では種々異なる面に亘って接続ゾーンを用いてつなげられているが、それ以外ではフロート状態である。

請求項（抜粋）：

一方の導電型の半導体部(3〜11)を有しており、該半導体(3〜11)内に、前記一方の導電型とは反対の、他方の導電型の、少なくとも1つの活性ゾーン(14)が設けられている、半導体構成素子用の縁構造及びドリフト領域体において、-半導体部(3〜11)内に、相互に種々異なる少なくとも2つの面に、他方の導電型の多数の領域(12)が埋め込まれており、-前記領域(12)は、活性ゾーン(14)のほぼ下側の領域内では前記種々異なる面に亘って接続ゾーン(12;20)を用いてつなげられているが、それ以外ではフロート状態であるようにしたことを特徴とする半導体構成素子用の縁構造及びドリフト領域体。

IPC (2件)：

H01L 29/78 ,  H01L 29/861

FI (4件)：

H01L 29/78 652 H ,  H01L 29/78 652 N ,  H01L 29/78 655 A ,  H01L 29/91 D