特許
J-GLOBAL ID：200903094845371130
位相シフトマスクブランク及び位相シフトマスク並びにそれらの製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
小島 隆司
, 重松 沙織
, 小林 克成
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-094321
公開番号（公開出願番号）：特開2004-302078
出願日： 2003年03月31日
公開日（公表日）： 2004年10月28日
要約：
【解決手段】露光光に対して透明な基板上に位相シフト膜を設けた位相シフトマスクブランクであって、上記位相シフト膜が、金属及びシリコンを含み、かつ金属とシリコンの組成比が互いに異なる複数の層を、位相シフト膜の基板側から表層側に向かってエッチングレートが速い層が基板側、エッチングレートが遅い層が表層側となるように順に積層したものであることを特徴とする位相シフトマスクブランク。【効果】本発明の位相シフトマスクブランクは、エッチング、特に反応性イオンエッチング(RIE)によりマスクパターンを形成する際の、エッチ断面形状の垂直性が良いものであり、これによって、より精密なパターンニングが可能となり、更なる半導体集積回路の微細化、高集積化に十分対応することが可能となる。【選択図】 なし
請求項（抜粋）：
露光光に対して透明な基板上に位相シフト膜を設けた位相シフトマスクブランクであって、上記位相シフト膜が、金属及びシリコンを含み、かつ金属とシリコンの組成比が互いに異なる複数の層を、位相シフト膜の基板側から表層側に向かってエッチングレートが速い層が基板側、エッチングレートが遅い層が表層側となるように順に積層したものであることを特徴とする位相シフトマスクブランク。
IPC (2件)：
FI (3件)：
G03F1/08 K
, G03F1/08 A
, H01L21/30 502P
2H095BB03
, 2H095BB27
, 2H095BC05
, 2H095BC08
