特許
J-GLOBAL ID:200903094846121170

金属含有単一相組成物の製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (4件): 浅村 皓 ,  浅村 肇 ,  安藤 克則 ,  池田 幸弘
公報種別:公表公報
出願番号(国際出願番号):特願2003-506827
公開番号(公開出願番号):特表2004-532788
出願日: 2002年05月23日
公開日(公表日): 2004年10月28日
要約:
Mn+1AzXn(ここでnは0.8〜3.2の範囲内の数値、zは0.8〜1.2の範囲内の数値、MはTi(チタン)、Sc(スカンジウム)、V(バナジウム)、Cr(クロム)、Zr(ジルコニウム)、Nb(ニオビウム)およびTa(タンタル)から成る群より選択された少なくとも1種の金属、XはC(炭素)およびN(窒素)から成る群より選択された少なくとも1種の非金属、そしてAは最終的な所望の化合物がMn+1AzXnで表される複数の成分を含有するための化学元素Si(ケイ素)、Al(アルミニウム)およびSn(錫)から成る群より選択された少なくとも1種の化学元素あるいは該化学元素による化合物である)で表される単一相組成物の製造法において、該金属および非金属ならびに該化学元素あるいは該化学元素による該化合物から粉体混合物を形成する工程;およびそれにより該成分を反応させるために解離の促進を妨げるように該粉体混合物を不活性雰囲気内で着火する工程:を包含することを特徴とするMn+1AzXnで表される単一相組成物の製造法。同方法は、反応温度を該成分が反応する温度以上ではあるが単一相組成物が解離する温度未満に維持することを特徴としている。本発明は、主として、単一相物質Ti3SiC2の製造に関する。
請求項(抜粋):
Mn+1AzXn(ここでnは0.8〜3.2の範囲内の数値、zは0.8〜1.2の範囲内の数値、MはTi(チタン)、Sc(スカンジウム)、V(バナジウム)、Cr(クロム)、Zr(ジルコニウム)、Nb(ニオビウム)およびTa(タンタル)から成る群より選択された少なくとも1種の金属、XはC(炭素)およびN(窒素)から成る群より選択された少なくとも1種の非金属、そしてAは最終的な所望の化合物がMn+1AzXnで表される複数の成分を含有するための化学元素Si(ケイ素)、Al(アルミニウム)およびSn(錫)から成る群より選択された少なくとも1種の化学元素あるいは該化学元素による化合物である)で表される単一相組成物の製造法において、該金属および非金属ならびに該化学元素あるいは該化学元素による該化合物から粉体混合物を形成する工程;およびそれにより該成分を反応させるために解離の促進を妨げるように該粉体混合物を不活性雰囲気内で着火する工程:を包含し、反応温度を、該成分が反応する温度以上ではあるが該単一相組成物が解離する温度未満に維持することを特徴とする、Mn+1AzXnで表される単一相組成物の製造法。
IPC (2件):
C01B33/00 ,  C01B31/30
FI (2件):
C01B33/00 ,  C01B31/30
Fターム (18件):
4G072AA20 ,  4G072BB05 ,  4G072GG02 ,  4G072HH33 ,  4G072JJ09 ,  4G072LL03 ,  4G072MM01 ,  4G146MA09 ,  4G146MA18 ,  4G146MB02 ,  4G146MB19B ,  4G146NA01 ,  4G146NA02 ,  4G146NA21 ,  4G146NB02 ,  4G146NB04 ,  4G146NB14 ,  4G146NB18
引用特許:
審査官引用 (6件)
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引用文献:
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