特許
J-GLOBAL ID：200903094846844309
イオン注入装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
高田 守 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-336627
公開番号（公開出願番号）：特開平5-174778
出願日： 1991年12月19日
公開日（公表日）： 1993年07月13日
要約：
【要約】【目的】 イオンビーム内のイオン密度分布を均一化し、MOSトランジスタのゲート酸化膜等の静電破壊を緩和するイオン注入装置を得る。【構成】 アークチャンバ内へのドーパントガス導入口23,24を複数設けるとともに、有効フィラメント長に対し、短いアークチャンバスリット長を有するアークチャンバスリット25を取り付けることにより、プラズマ密度分布を平坦化し、この平坦なプラズマ密度分布部分をイオンビームとして利用することを特徴としている。
請求項（抜粋）：
アークチャンバ内にドーパントガスを導入し、前記アークチャンバ内に設けられたフィラメントに電流を流すことにより発生する熱電子に前記ドーパントガスが衝突することによりイオン化して、前記アークチャンバ内をプラズマ状態とし、このプラズマ中のイオンをアークチャンバスリットから引き出すイオン注入装置において、前記アークチャンバ内のドーパントガスを導入するドーパントガス導入口を複数設けるとともに、前記フィラメントの有効フィラメント長に対し、短いアークチャンバスリット長を有するアークチャンバスリット板を備えたことを特徴とするイオン注入装置。
IPC (4件)：
H01J 37/317
, C23C 14/48
, H01J 37/08
, H01L 21/265
