特許

J-GLOBAL ID：200903094847190191

太陽電池装置の製造方法

発明者： 齊藤 清雄
出願人/特許権者： 富士電機株式会社
代理人 (1件)： 山口 巖
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-178710
公開番号（公開出願番号）：特開平6-029564
出願日： 1992年07月07日
公開日（公表日）： 1994年02月04日
要約：

【要約】【目的】可とう性絶縁基板上に両電極層にはさまれた半導体薄膜を形成してなる太陽電池の複数個を端部を順次重ね合わせて高い強度で連結し、任意の曲面上に設置できる可とう性太陽電池装置を製造する。【構成】太陽電池の一方の端部を溶融はんだ浴に浸漬し、超音波を印加して上層の電極層から基板側面を経て裏面にまで延びるはんだ層を形成し、そのはんだ層を別の太陽電池の他方の端部の上層の電極層に融着させるか、その第二電極層上に形成したはんだ層に融着あるいは圧接させることにより、隣接する太陽電池の基板の重ね合わせ連結と、上層電極層の接続を可能にする。

請求項（抜粋）：

1枚の可とう性絶縁基板表面上に第一電極層、半導体層および第二電極層を積層してなる太陽電池素子を1個形成してなるかあるいは複数個形成して第二電極層を隣接素子の第一電極層と接続することにより直列接続してなる太陽電池の複数個が直列接続される太陽電池装置の製造方法において、一つの太陽電池の第一端部の第二電極層上から基板の端面上を経て裏面上に延びるはんだ層を超音波印加のもとで被覆し、基板裏面を被覆するはんだ層を別の太陽電池の第二端部の第二電極層と接触させ、加熱してはんだと接触する第二電極層に融着させることを特徴とする太陽電池装置の製造方法。