特許
J-GLOBAL ID：200903094857464494
ホトマスク
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴木 喜三郎 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-154071
公開番号（公開出願番号）：特開平11-002893
出願日： 1997年06月11日
公開日（公表日）： 1999年01月06日
要約：
【要約】【課題】半導体プロセスで使用されるホトマスクに関し、パターンの角部などの電界が集中しやすい部分間で放電が発生し、遮光パターンに欠陥が発生する。この静電破壊によるパターン欠陥が製品に転写され不良の原因となること。【解決手段】半導体回路を形成する隣り合った2つの主パターン1と主パターン2に、それぞれ補助パターン3と補助パターン4が付加されている。ここで補助パターン3,4の間隔aは、主パターン1,2の間隔bと同じであるが、配線幅が主パターンの4分の1になっているため、帯電によって電位差が生じた場合この補助パターン3,4の部分が最も電界が集中しやすくなり静電破壊が発生する。しかし、遮光パターンに欠陥が発生しても、主パターンは正常であるため必要とする半導体回路は正しく形成される。
請求項（抜粋）：
2つ以上の独立した遮光パターンにおいて、それぞれのパターンから突起状に形成された部分が、各パターン間の最小間隔と同等かそれより狭い間隔を挟んで配置される補助パターンを有し、その向かい合った補助パターンの先端部分は、それぞれに接続している遮光パターンの最小線幅より細く形成されていることを特徴としたホトマスク。
IPC (2件)：
FI (2件)：
G03F 1/08 D
, H01L 21/30 502 P
