特許

J-GLOBAL ID：200903094857875214

フッ素化合物砥粒を含む半導体用研磨剤

発明者： 砂原 一夫 ,  次田 克幸
出願人/特許権者： セイミケミカル株式会社
代理人 (1件)： 小池 信夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-110432
公開番号（公開出願番号）：特開2000-303060
出願日： 1999年04月19日
公開日（公表日）： 2000年10月31日
要約：

【要約】【課題】 半導体デバイス製造において半導体基板上のTaやTaNなどのバリア金属層をCMP研磨する際に、速い研磨速度を達成できる研磨剤を提供する。【解決手段】 水難溶性のフッ素化合物からなる砥粒を含有する研磨剤を使用し、これにより半導体基板上に形成された金属層及び/又は金属化合物層のCMP研磨を行う。

請求項（抜粋）：

半導体デバイスの製造工程における化学的機械研磨用研磨剤であって、水難溶性のフッ素化合物からなる砥粒が含有され、半導体基板上に形成された金属層及び/又は金属化合物層を研磨するための研磨剤。

IPC (4件)：

C09K 3/14 550 ,  C09K 3/14 ,  B24B 37/00 ,  H01L 21/304 321

FI (4件)：

C09K 3/14 550 C ,  C09K 3/14 550 E ,  B24B 37/00 H ,  H01L 21/304 321

Fターム (7件)：

3C058AA07 ,  3C058CA04 ,  3C058CB03 ,  3C058CB10 ,  3C058DA02 ,  3C058DA12 ,  3C058DA17