金属-絶縁物-金属キャパシタおよび配線構造

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (5件)：八田幹雄 , 奈良泰男 , 齋藤悦子 , 宇谷勝幸 , 藤井敏史
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-222512
公開番号（公開出願番号）：特開2005-051247
出願日： 2004年07月29日
公開日（公表日）： 2005年02月24日
要約：

【課題】金属-絶縁物-金属キャパシタおよび配線構造を提供する。【解決手段】ダマシン工程を利用してMIMキャパシタおよび配線構造を含む半導体装置を製造する。前記MIMキャパシタおよび配線構造は静電容量を増やしつつ同じ深さで形成する。【選択図】図3

請求項（抜粋）：

(a)下部金属配線層上に下部金属間絶縁膜を形成する段階と、 (b)前記下部金属配線層を露出させるように前記下部金属間絶縁膜内にMIMキャパシタ用トレンチを形成する段階と、 (c)前記MIMキャパシタ用トレンチ表面を含む全面上に下部障壁金属層、キャパシタ誘電膜および上部障壁金属層を順次積層する段階と、 (d)前記上部障壁金属層上に第1導電膜を形成する段階と、 (e)前記第1導電膜を平坦化して前記MIMキャパシタ用トレンチ内にMIMキャパシタを形成する段階と、 (f)前記下部金属配線層を露出させるように前記下部金属間絶縁膜内に金属配線用ビアおよび金属配線用トレンチを形成する段階と、 (g)前記金属配線用ビアおよび金属配線用トレンチ内を埋め込むように第2導電膜を形成する段階と、 (h)前記第2導電膜を平坦化して前記MIMキャパシタと同じ深さを持つ第1配線構造を形成する段階と、を含むことを特徴とするMIMキャパシタの製造方法。

IPC (3件)：

H01L21/822 , H01L21/768 , H01L27/04

FI (2件)：

H01L27/04 C , H01L21/90 A

Fターム (56件)：

5F033HH08 , 5F033HH11 , 5F033HH13 , 5F033HH14 , 5F033HH18 , 5F033HH19 , 5F033HH21 , 5F033HH32 , 5F033HH34 , 5F033JJ08 , 5F033JJ11 , 5F033JJ13 , 5F033JJ14 , 5F033JJ18 , 5F033JJ19 , 5F033JJ21 , 5F033JJ32 , 5F033JJ34 , 5F033KK08 , 5F033KK11 , 5F033KK13 , 5F033KK14 , 5F033KK18 , 5F033KK19 , 5F033KK21 , 5F033KK32 , 5F033KK34 , 5F033MM01 , 5F033MM02 , 5F033MM12 , 5F033MM13 , 5F033NN06 , 5F033NN07 , 5F033PP15 , 5F033PP27 , 5F033PP33 , 5F033QQ09 , 5F033QQ10 , 5F033QQ25 , 5F033QQ37 , 5F033QQ48 , 5F033RR01 , 5F033RR03 , 5F033RR04 , 5F033RR06 , 5F033RR11 , 5F033SS11 , 5F033VV10 , 5F033VV16 , 5F033XX00 , 5F038AC05 , 5F038AC10 , 5F038AC15 , 5F038DF05 , 5F038EZ14 , 5F038EZ20

引用特許：

出願人引用 (1件)

韓国公開特許第2000-53453号公報

審査官引用 (1件)

半導体装置およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-358114 出願人：ソニー株式会社

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