特許
J-GLOBAL ID：200903094868159898
半導体装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
煤孫 耕郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-168606
公開番号（公開出願番号）：特開平7-074240
出願日： 1993年06月15日
公開日（公表日）： 1995年03月17日
要約：
【要約】【目的】 SOI基板を用いたフォトダイオードを形成する場合、光電流を効率良く得るために、絶縁膜の光反射効率を向上させて、光エネルギーの吸収量を高める。【構成】 SOI基板を用いてフォトダイオードを形成し、光エネルギーの吸収効率を高めるために、入射した光を高効率で反射し、再吸収させる。そのために入射光を反射する半導体装置底面の絶縁分離膜を異なる屈折率を持った材質を組み合わせて複合化することで、反射率を高める。
請求項（抜粋）：
単結晶シリコン基板と、前記単結晶シリコン基板の一表面上に設けられた複合絶縁膜と、前記複合絶縁膜上に設けられた単結晶シリコン層と、側面を接して設けられた絶縁膜と、前記絶縁膜間を充填する多結晶シリコン層とを有することを特徴とする半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 21/762
, H01L 27/12
, H01L 31/10
H01L 21/76 D
, H01L 31/10 A
