特許

J-GLOBAL ID：200903094878353501

パルスプラズマCVDによる成膜方法及びその装置

発明者： 小林 伸一 ,  北中 隆司 ,  川下 安司
出願人/特許権者： 神港精機株式会社
代理人 (1件)： 田中 浩 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-340403
公開番号（公開出願番号）：特開平5-148654
出願日： 1991年11月28日
公開日（公表日）： 1993年06月15日
要約：

【要約】【目的】 常温で液体の反応ガスの気化状態を維持して効率よく解離させる。【構成】 排気された成膜室10に、ピエゾバルブ50、68、70、94の開閉によって間欠的に複数の反応ガスを導入し、成膜室10に間隔を隔てて設けた被処理物12と高周波電極14との間に、反応ガスの供給直後に電力を供給することによって、各反応ガスを解離させ、被処理物10に化学蒸着させる。反応ガスのうち常温において液体であるものを、恒温槽72で気化させて、導入管ベーキングヒータ96によって気化状態を維持しながら、成膜室10に供給し、この気化されたガスを供給するピエゾバルブ94から成膜室10までを、成膜室加熱ヒータ98によって室温よりも高い温度に昇温させ、成膜室10内でも気化状態を維持する。

請求項（抜粋）：

排気された成膜室に弁の開閉によって間欠的に複数の反応ガスを導入し、上記成膜室に間隔を隔てて設けた被処理物と電極との間に、上記反応ガスの供給直後に電力を供給することによって、上記反応ガスを解離させ、上記被処理物に化学蒸着させるパルスプラズマCVDによる成膜方法において、上記反応ガスのうち常温において液体であるものを、気化させてから上記成膜室に供給し、この気化されたガスを上記成膜室に供給する上記弁から上記成膜室までを室温よりも高い温度に昇温させることを特徴とするパルスプラズマCVDによる成膜方法。

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開昭62-050472
  
• 特開昭59-072719
  
• 特開昭63-282274