特許

J-GLOBAL ID：200903094879424755

半導体装置

発明者： 米田 辰雄 ,  鈴木 一昭
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 三好 秀和 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-241647
公開番号（公開出願番号）：特開平6-097451
出願日： 1992年09月10日
公開日（公表日）： 1994年04月08日
要約：

【要約】【目的】電力用に使用されるMOS型トランジスタ等の半導体装置に関し、より少ない工程で製造可能で、より安定した耐圧特性を備える半導体装置を提供することを目的とする。【構成】第2導電型第一半導体領域7と、第1導電型高濃度拡散第二半導体領域8と、ゲート電極材6と、絶縁膜5及び9と、第1導電型高濃度拡散第二半導体領域8及び前記第2導電型第一半導体領域7に接続されるソース金属配線11と、ゲート電極材6の表面の一部が絶縁膜9に設けられた開口部で接続されるゲート金属配線3と、ゲート金属配線3下部の第1導電型半導体基板1及び2の表面上に複数個分割形成される第2導電型第三半導体領域4とを具備し、第2導電型第三半導体領域4は、当該第2導電型第三半導体領域4から第1導電型半導体基板1及び2に伸びる空乏層13が到達する範囲内に近接して配置される。

請求項（抜粋）：

第1導電型半導体基板表面の一部に複数個配列して形成された第2導電型第一半導体領域と、前記第2導電型第一半導体領域内の表面の一部に形成された第1導電型高濃度拡散第二半導体領域と、前記第1導電型高濃度拡散第二半導体領域の一部の表面、及び前記第2導電型第一半導体領域が形成されていない前記第1導電型半導体基板の一部の表面に渡って設けられたゲート電極材と、前記ゲート電極材を覆う絶縁膜と、前記第1導電型高濃度拡散第二半導体領域及び前記第2導電型第一半導体領域に接続されるソース金属配線と、前記ゲート電極材の表面の一部が前記絶縁膜に設けられた開口部で接続されるゲート金属配線と、前記ゲート金属配線下部の前記第1導電型半導体基板の表面上に複数個分割形成される第2導電型第三半導体領域とを有し、前記第2導電型第三半導体領域は、当該第2導電型第三半導体領域から前記第1導電型半導体基板に伸びる空乏層が到達する範囲内に近接して配置されることを特徴とする半導体装置。