特許

J-GLOBAL ID：200903094886455739

半導体集積回路装置

発明者： 中村 厚信
出願人/特許権者： 川崎製鉄株式会社
代理人 (1件)： 小杉 佳男 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-057645
公開番号（公開出願番号）：特開平7-273203
出願日： 1994年03月28日
公開日（公表日）： 1995年10月20日
要約：

【要約】【目的】 配線効率の向上が図られるとともにクロックスキューの低減が図られた半導体集積回路装置を提供する。【構成】 素子分離酸化膜の直上部に配線されたクロック幹線と、クロック幹線の上部に形成された第1層配線と、第1層配線の上部に形成された第2層配線とを備えた。

請求項（抜粋）：

素子分離酸化膜の直上部に配線された、クロック信号を伝達するクロック幹線と、該クロック幹線の上部に互いに絶縁膜を挟んで形成された、素子間を接続する複数の配線層を備えたことを特徴とする半導体集積回路装置。

IPC (4件)：

H01L 21/82 ,  H01L 21/76 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822

FI (3件)：

H01L 21/82 W ,  H01L 21/76 M ,  H01L 27/04 D