半導体集積回路の配線構造体及びその製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：小杉佳男 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-107137
公開番号（公開出願番号）：特開平6-318594
出願日： 1993年05月10日
公開日（公表日）： 1994年11月15日
要約：

【要約】【目的】Alより低い抵抗でしかも耐エレクトロマイグレーション性に優れたCuの拡散を防止でき、LSIの高速動作を可能にする半導体集積回路の配線構造体を提供する。【構成】Si基板12の表面に5000Åの絶縁膜14を形成し、この絶縁膜14の表面にTiN膜16を形成した。このTiN膜16の上にAl膜18を形成し、Al膜18の上にTiN膜20を形成した。このTiN膜20の上に層間絶縁膜22を形成し、この層間絶縁膜22のビアホールは、W24で埋め込んだ。ブランケットW-CVD法により、ビアホールにW24が埋め込まれると同時にTiN密着膜26の表面にW膜28を形成し、第2層目のCu配線30のバリア膜にした。

請求項（抜粋）：

半導体集積回路の配線構造体において、AlもしくはAl合金からなる第1層目の配線と、Cuからなる第2層目以上の配線と、該第2層目以上の配線の下地になるW膜と、Wが埋め込まれた、前記第2層目以上の配線を互いに接続するためのビアホールとを備えたことを特徴とする半導体集積回路の配線構造体。

IPC (4件)：

H01L 21/3205 , H01L 21/28 301 , H01L 21/285 , H01L 21/90

FI (2件)：

H01L 21/88 R , H01L 21/88 N

前のページに戻る