特許

J-GLOBAL ID：200903094901243271

窒化物半導体レーザ素子

発明者： 小崎 徳也 ,  中村 修二
出願人/特許権者： 日亜化学工業株式会社
代理人 (1件)： 豊栖 康弘 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-279913
公開番号（公開出願番号）：特開2000-236142
出願日： 1999年09月30日
公開日（公表日）： 2000年08月29日
要約：

【要約】【課題】 400nmより長波長領域において、良好で安定したレーザ発振をする窒化物半導体レーザ素子を提供する。【解決手段】 新規な素子構造として、光ガイド層がInGaN、クラッド層がGaN、コンタクト層がGaNからなるSCH構造、すなわちAlを使わない構造とする。

請求項（抜粋）：

窒化物半導体において、活性層の両側に、光ガイド層、更にその両側にクラッド層、さらにその両側にコンタクト層が設けられたレーザ素子において、前記光ガイド層はIn<SB>b</SB>Ga<SB>1-b</SB>N(0≦b<1)からなり、前記クラッド層はGaNからなり、前記コンタクト層はGaNからなることを特徴とする窒化物半導体レーザ素子。

IPC (2件)：

H01S 5/343 ,  H01L 33/00

FI (2件)：

H01S 5/343 ,  H01L 33/00 C

Fターム (24件)：

5F041AA03 ,  5F041AA11 ,  5F041CA04 ,  5F041CA05 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F041CA46 ,  5F041CA57 ,  5F041CA58 ,  5F041CA82 ,  5F041CA85 ,  5F041CA87 ,  5F073AA13 ,  5F073AA45 ,  5F073AA46 ,  5F073AA74 ,  5F073AA76 ,  5F073AA77 ,  5F073CA07 ,  5F073CB05 ,  5F073CB10 ,  5F073CB19 ,  5F073EA07 ,  5F073EA23