特許

J-GLOBAL ID：200903094911525720

電子デバイス製造装置の反応室クリーニング方法

発明者： 清原 誠 ,  加納 秀夫 ,  吉原 国雄 ,  佐竹 象二郎
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 岩橋 文雄 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-115018
公開番号（公開出願番号）：特開2002-313789
出願日： 2001年04月13日
公開日（公表日）： 2002年10月25日
要約：

【要約】【課題】 反応室の待機時間にプラズマクリーニングすることにより、クリーニングのためのウェハ供給停止時間を削減し、装置のスループットを向上させることができる電子デバイス製造装置の反応室クリーニング方法を提供する。【解決手段】 反応室3A,3B,3Cにウェハが無くなった時、装置内にあるウェハの搬送先から次に反応室3A,3B,3Cにウェハが搬送されるまでの時間を算出し、その時間がクリーニング前後の処理時間より長い場合、クリーニングを行い、算出した搬送時間からクリーニング前後の処理時間を減算した時間だけクリーニングを行う。

請求項（抜粋）：

反応室にてウェハのエッチングや成膜処理を行い、任意の処理枚数ごとに反応室のプラズマクリーニングを行う電子デバイス製造装置の反応室にウェハが無くなった時、前記電子デバイス製造装置内にあるウェハの次搬送先と搬送時間とから次にその反応室にウェハが搬送されるまでの時間を算出し、前記ウェハが搬送されるまでの時間が、プラズマクリーニング前後の処理時間より長い場合、ウェハの無くなった反応室のプラズマクリーニングを行うことを特徴とする電子デバイス製造装置の反応室クリーニング方法。

IPC (3件)：

H01L 21/31 ,  C23C 16/44 ,  H01L 21/302

FI (4件)：

H01L 21/31 C ,  H01L 21/31 B ,  C23C 16/44 J ,  H01L 21/302 Z

Fターム (14件)：

4K030CA12 ,  4K030DA06 ,  4K030GA12 ,  4K030JA11 ,  4K030LA15 ,  4K030LA18 ,  5F004AA15 ,  5F004AA16 ,  5F004BC05 ,  5F004BC06 ,  5F045BB08 ,  5F045BB15 ,  5F045EB06 ,  5F045EB08