特許

J-GLOBAL ID：200903094912406563

半導体基体の形成方法

発明者： 浅羽 哲朗
出願人/特許権者： キヤノン株式会社
代理人 (1件)： 山下 穣平
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-357744
公開番号（公開出願番号）：特開平6-196673
出願日： 1992年12月25日
公開日（公表日）： 1994年07月15日
要約：

【要約】【目的】 SOI構造の半導体基体の形成方法において、エッチングの制御性を向上させ、正確で均一な膜厚のシリコン結晶層を、容易に、絶縁物基体上に形成する方法を実現する。【構成】 シリコンを主成分とする第1の基体101上にシリコン-ゲルマニウム混晶層102を形成する工程と、前記混晶層上にシリコンエピタキシャル層103を形成する工程と、第2の基体105の該絶縁物表面104と、前記第1の基体のシリコンエピタキシャル層103表面とを貼り合わせる工程と、前記貼り合わせた基体の前記シリコンを主成分とする基体部分101を、アルカリ溶液で、前記混晶層102をエッチング停止層として、エッチング除去する工程と、前記工程の後、前記混晶層102を除去する工程と、を有することを特徴とする半導体基体の形成方法。

請求項（抜粋）：

シリコンを主成分とする第1の基体上にシリコン-ゲルマニウム混晶層を形成する工程と、前記シリコン-ゲルマニウム混晶層上にシリコンエピタキシャル層を形成する工程と、絶縁物表面を有する第2の基体の該絶縁物表面と、前記第1の基体のシリコンエピタキシャル層表面とを貼り合わせる工程と、前記貼り合わせた基体の前記シリコンを主成分とする基体部分を、アルカリ溶液で、前記シリコン-ゲルマニウム混晶層をエッチング停止層として、エッチング除去する工程と、前記工程の後、前記シリコン-ゲルマニウム混晶層を除去する工程と、を有することを特徴とする半導体基体の形成方法。

IPC (4件)：

H01L 27/12 ,  H01L 21/02 ,  H01L 21/304 321 ,  H01L 21/306