特許

J-GLOBAL ID：200903094916499264

リフトオフ装置

発明者： 末吉 正昭
出願人/特許権者： 株式会社村田製作所
代理人 (1件)： 岡田 和秀
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-022456
公開番号（公開出願番号）：特開平5-217998
出願日： 1992年02月07日
公開日（公表日）： 1993年08月27日
要約：

【要約】【目的】 半導体基板の微細部分におけるレジストとレジスト剥離溶液との接触を確実なものとし、不要な金属の剥離速度を上げることによって生産性の向上を図ることができるリフトオフ装置を提供する。【構成】 本発明にかかるリフトオフ装置は、半導体基板Wが浸漬されるレジスト剥離溶液槽1と、このレジスト剥離溶液槽1を収納したうえで減圧される圧力容器2とを備えている。

請求項（抜粋）：

半導体基板(W)が浸漬されるレジスト剥離溶液槽(1)と、このレジスト剥離溶液槽(1)を収納したうえで減圧される圧力容器(2)とを備えていることを特徴とするリフトオフ装置。

IPC (4件)：

H01L 21/306 ,  H01L 21/027 ,  H01L 21/304 341 ,  H01L 21/304