特許
J-GLOBAL ID：200903094920729339
薄膜トランジスタの製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴木 喜三郎 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-141438
公開番号（公開出願番号）：特開平5-335334
出願日： 1992年06月02日
公開日（公表日）： 1993年12月17日
要約：
【要約】【構成】 自己整合的に製造される薄膜トランジスタにおいて、イオン注入される多結晶シリコンの膜厚が500Å以下であり、イオン注入工程において基板温度を200°C以上で500°C以下に保持しながら不純物を注入することを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法【効果】 600°C以下の数時間の活性化アニールにより、ソース・ドレイン領域が十分低抵抗化するために、安価なガラス基板が使用可能となる。
請求項（抜粋）：
絶縁基板上に形成される自己整合的な薄膜トランジスタにおいて、質量分析を用いないイオン注入装置を用いて不純物イオンを打ち込むことによりソース・ドレイン領域を形成する工程を含み、前記の打ち込み工程において、絶縁基板の温度を200°C以上に保持しながら不純物を打ち込むことを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法。
IPC (4件)：
H01L 21/336
, H01L 29/784
, H01L 21/265
, H01L 27/12
H01L 29/78 311 P
, H01L 21/265 A
