特許
J-GLOBAL ID：200903094925123919
マイクロレンズ及びその製造方法、並びに電気光学装置及び電子機器
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
江上 達夫
, 中村 聡延
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-227720
公開番号（公開出願番号）：特開2006-058320
出願日： 2004年08月04日
公開日（公表日）： 2006年03月02日
要約：
【課題】 電気光学装置において、理想的非球面のマイクロレンズを比較的容易に製造する。【解決手段】 第1曲面形成工程の後、第2曲面形成工程を行う。第1曲面形成工程は、基板上に、第1エッチャントに対するエッチングレートが基板より高い第1膜を形成する工程と、形成すべきマイクロレンズの中心に対応する個所に開口部を有する第1マスクを第1膜上に形成する工程と、第1マスクを介して第1エッチャントによるウエットエッチングを施し、基板に第1の凹部を形成する工程とを含む。第2曲面形成工程は、基板上に、第2エッチャントに対するエッチングレートが第1膜より高い第2膜を形成する工程と、第1膜の開口部よりも開口径が小さい開口部を有する第2マスクを第2膜上に形成する工程と、第2マスクを介して第2エッチャントによるウエットエッチングを施し、基板に第2の凹部を形成する工程とを含む。【選択図】 図14
請求項（抜粋）：
基板上に、所定種類の第1エッチャントに対するエッチングレートが前記基板より高い第1膜を形成する工程と、形成すべきマイクロレンズの中心に対応する個所に開口部を有する第1マスクを前記第1膜上に形成する工程と、前記第1マスクを介して前記第1エッチャントによるウエットエッチングを施すことにより第1の凹部を形成する工程とを含む第1曲面形成工程と、
前記第1曲面形成工程の後に行われ、前記基板上に、エッチングレートが前記基板より前記第1膜の方が高い第2エッチャントに対するエッチングレートが前記第1膜より高い第2膜を形成する工程と、前記マイクロレンズの中心に対応する個所に、前記第1マスクの開口部よりも開口径が小さい開口部を有する第2マスクを前記第2膜上に形成する工程と、前記第2マスクを介して前記第2エッチャントによるウエットエッチングを施すことにより第2の凹部を形成する工程とを含む第2曲面形成工程と
を含むことを特徴とするマイクロレンズの製造方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
G02B3/00 A
, G09F9/00 338
5G435AA03
, 5G435AA17
, 5G435BB12
, 5G435BB15
, 5G435CC09
, 5G435DD04
, 5G435GG02
, 5G435KK05
, 5G435KK07
