特許
J-GLOBAL ID：200903094932675781
半導体ウェーハのダイシング方法およびその装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
高橋 光男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-209051
公開番号（公開出願番号）：特開平7-045562
出願日： 1993年07月30日
公開日（公表日）： 1995年02月14日
要約：
【要約】【目的】カッティング時におけるシリコンダストのウェーハへの付着やシリコンダストの粉塵の飛散を確実に防止できるダイシング方法およびその装置を提供すること。【構成】ウェーハ2を垂直又は斜めに保持する保持手段4と、ウェーハ2に対して垂直成分の方向へ移動してウェーハ2をカッティングするブレード5と、ウェーハ2の上方から洗浄液体8を通流する洗浄液体供給手段7とを備える。
請求項（抜粋）：
複数の素子が形成された半導体ウェーハをダイシングラインに沿ってカッティングする半導体ウェーハのダイシング方法であって、前記半導体ウェーハを垂直又は斜めに保持し、前記半導体ウェーハの上方から洗浄液体を通流しながらカッティングを行なうようにした、ことを特徴とする半導体ウェーハのダイシング方法。
IPC (3件)：
H01L 21/301
, B23Q 11/00
, H01L 21/304 341
