特許
J-GLOBAL ID：200903094935140064
単一電子帯電効果を利用した記憶回路とその製造方 法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-201390
公開番号（公開出願番号）：特開平7-058298
出願日： 1993年08月13日
公開日（公表日）： 1995年03月03日
要約：
【要約】【目的】 電子を単一電子帯電効果によって独立した電極に蓄えることを利用するものである。従来素子に比べ、集積度・動作速度の向上を可能ならしめる記憶回路を構成する。【構成】 情報は、グランド線12に接続された2つの直列接続のトンネル接合21、22、書き込み線13に接続されたコンデンサー31、そして、読み出し回路03に接続されたコンデンサー32が、それぞれ並列に接続された電気的に独立した電極01に、電子を蓄えることによって保持される。直列に接続されたトンネル接合により、書き込み電圧Vw に対し、電子数がNまた(N+1)個が安定に蓄えられる双安定領域が存在することを用いて、書き込み電圧のわずかな変化に対して記憶が失われないような記憶回路を構成する。電子が安定に独立した電極に保たれている。読み出しには単一電子トンネルトランジスターを用いる。
請求項（抜粋）：
2つのトンネル接合が直列接続されたものの一端がグランドに接続され、コンデンサーの一端に書き込み線が接続され、両者の他端が電気的に独立した電極に接続された記憶部と、2つのトンネル接合を直列接続しその接続部にコンデンサーが接続されたトランジスターが2つ直列に接続され、それぞれのトランジスターのコンデンサーが記憶部の前記電極、及び、タイミング線に接続され、しかも2つのトランジスターの前記接続部を出力とした読み出し部を有することを特徴とする記憶回路。
IPC (2件)：
H01L 27/10 451
, H01L 29/80
