特許
J-GLOBAL ID：200903094939621490
半導体磁性体
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
三好 秀和 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-374332
公開番号（公開出願番号）：特開2001-257394
出願日： 2000年12月08日
公開日（公表日）： 2001年09月21日
要約：
【要約】【課題】 半導体加工技術及び成長技術を用いて量子ドット列を形成することにより、フラットバンド構造を持つ半導体磁性体を提供すること。【解決手段】 格子点上に、周囲にエネルギーポテンシャルの高い領域が形成され電子が閉じ込められた半導体量子ドットを配置することにより、隣接した量子ドット間を電子が移動可能であり、電子のエネルギー分散が波数依存性をほとんど持たないフラットバンド構造が電子エネルギーバンドに含まれるようにすることにより磁性体が形成される。
請求項（抜粋）：
格子点上に、周囲にエネルギーポテンシャルの高い領域が形成され電子が閉じ込められた半導体量子ドットを配置することにより、隣接した量子ドット間を電子が移動可能であり、電子のエネルギー分散が波数依存性をほとんど持たないフラットバンド構造が電子エネルギーバンドに含まれるようしたことを特徴とする半導体磁性体。
IPC (3件)：
H01L 43/08
, G11B 5/39
, H01F 1/40
H01L 43/08 S
, G11B 5/39
, H01F 1/00 A
