フィーチャ表面カバレッジの改善を促進する銅シード層の堆積方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：中村稔 (外9名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-592876
公開番号（公開出願番号）：特表2002-534807
出願日： 1999年12月17日
公開日（公表日）： 2002年10月15日
要約：

【要約】我々は、半導体フィーチャ表面(129)上に堆積させる銅シード層(132)のステップカバレッジを改善し、特に高アスペクト比を有する小サイズのフィーチャに有用な方法を発見した。我々は高アスペクト比フィーチャの例としてコンタクトビア(122)を使用し、従来考えられていたことに反して、堆積させる銅種がイオンである割合を増加させることによって、ビアの底及びビアの壁における銅シード層カバレッジを同時に増加させることが可能であることを実証した。銅シード層の十分なステップカバレッジを得るために必要な種イオン化の割合は、フィーチャのアスペクト比の関数である。銅種がイオンである割合を増加させるには、例えば銅ターゲットのレーザ溶発、電子サイクロトロン共鳴、ホローカソード、及び出願人が好む技術である誘導結合RFイオン金属プラズマのような、当分野においては公知の技術を使用して達成する。我々は更に、イオン化を増加させるために誘導結合プラズマを使用する場合、多くの場合にイオン化源への電力を増加させてもイオンの所望の割合を得るには不十分であることも発見した。プラズマガス圧を増加させることも必要である。典型的には、プラズマガスはアルゴンであり、銅シード層堆積チャンバ内のアルゴン圧を、約20乃至約100ミリトル、好ましくは約30ミリトル乃至70ミリトルの範囲内に入るように増加させる。

請求項（抜粋）：

半導体基体上に、又は該基体内に連続銅シード層を設ける方法において、前記基体表面と接触する時点には少なくとも30パーセントが銅イオンの形状である銅種を使用して前記フィーチャの内面上に前記銅シード層を堆積させることを特徴とする方法。

IPC (4件)：

H01L 21/285 , H01L 21/285 301 , C23C 14/14 , C23C 14/40

FI (4件)：

H01L 21/285 S , H01L 21/285 301 Z , C23C 14/14 D , C23C 14/40

Fターム (14件)：

4K029AA06 , 4K029BA08 , 4K029BC03 , 4K029BD01 , 4K029CA05 , 4K029DC03 , 4K029EA03 , 4M104BB04 , 4M104BB32 , 4M104CC01 , 4M104DD37 , 4M104DD39 , 4M104FF22 , 4M104HH13

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