半導体装置の検査方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：前田弘 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-301418
公開番号（公開出願番号）：特開平8-330372
出願日： 1995年11月20日
公開日（公表日）： 1996年12月13日
要約：

【要約】【課題】半導体チップに対してウェハ状態で一括して高温の検査を行なう際に、半導体ウェハの周縁部においても、コンタクタのプローブ端子が半導体ウェハの検査用電極に確実に接触するような半導体装置の検査方法を提供する。【解決手段】半導体ウェハ10を伸縮性を有するダイシング用シート11に固定する。次に、半導体ウェハ10に対してダイシング用シート11が分離しないようにダイシングを行なって、複数の半導体チップ10aを互いに分離する。コンタクタ15と半導体ウェハ10とをアライメントした後、半導体ウェハ10をコンタクタ15に固定する。この際、コンタクタ15に設けられている突起体14を半導体チップ10a同士の間に挿入する。コンタクタ15の熱膨張に伴い周辺部側に拡がる突起体14によって複数の半導体チップ10a同士の間隔を拡げ、間隔が拡がった半導体チップ10aに対して一括してバーンインを行なう。

請求項（抜粋）：

検査用電極を有する複数の半導体チップが形成された半導体ウェハを伸縮性を有するシートに固定する第1の工程と、前記シートに固定された前記半導体ウェハに対して前記シートが分離しないようにダイシングを行なって、前記複数の半導体チップを互いに分離する第2の工程と、前記半導体チップの検査用電極に電気信号を供給するコンタクタとダイシングされた半導体ウェハとをアライメントした後、前記半導体ウェハを前記コンタクタに固定する第3の工程と、前記コンタクタに固定された前記半導体ウェハを加熱して前記複数の半導体チップ同士の間隔を前記コンタクタの熱膨張に応じて拡げ、間隔が拡がった前記複数の半導体チップに対して一括してバーンインを行なう第4の工程とを備えていることを特徴とする半導体装置の検査方法。

IPC (5件)：

H01L 21/66 , G01R 1/06 , G01R 1/073 , G01R 31/26 , G01R 31/28

FI (6件)：

H01L 21/66 H , G01R 1/06 F , G01R 1/06 D , G01R 1/073 F , G01R 31/26 H , G01R 31/28 V

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