特許

J-GLOBAL ID：200903094952143212

半導体薄膜の製造方法および薄膜太陽電池の製造方法

発明者： 福田 丞 ,  林 明峰
出願人/特許権者： 鐘淵化学工業株式会社
代理人 (1件)： 鈴江 武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-004663
公開番号（公開出願番号）：特開2001-196619
出願日： 2000年01月13日
公開日（公表日）： 2001年07月19日
要約：

【要約】【課題】 製造コストの上昇を招くことなくガラス基板間に挟んだ合紙のカスによる製造歩留りの低下を防止できる薄膜太陽電池の製造方法を提供する。【解決手段】 透明導電層(2)が形成されたガラス基板(1)を水溶性紙(11)を挟んで複数積層して搬送する工程と、積層されたガラス基板(1)を1枚ずつ取り出して水溶性紙(11)を取り除いた後に水洗浄して乾燥する工程と、ガラス基板(1)上に形成された透明導電層(2)上に半導体薄膜(4)を製膜する工程と、半導体薄膜(4)上に裏面電極層(6)を製膜する工程とを有する薄膜太陽電池の製造方法。

請求項（抜粋）：

透明導電層が形成されたガラス基板を水溶性紙を挟んで複数積層して搬送する工程と、積層されたガラス基板を1枚ずつ取り出して水溶性紙を取り除いた後に水洗浄して乾燥する工程と、ガラス基板上に形成された透明導電層上にアモルファスシリコンまたは結晶質シリコンからなる半導体薄膜を製膜する工程とを具備したことを特徴とする半導体薄膜の製造方法。

IPC (4件)：

H01L 31/04 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  G02F 1/1368

FI (3件)：

H01L 31/04 S ,  H01L 29/78 627 Z ,  G02F 1/136 500

Fターム (17件)：

2H092HA04 ,  2H092KA04 ,  2H092KA05 ,  2H092NA29 ,  2H092PA01 ,  5F051AA03 ,  5F051AA04 ,  5F051AA05 ,  5F051BA11 ,  5F051BA17 ,  5F051EA02 ,  5F051GA03 ,  5F110DD02 ,  5F110DD25 ,  5F110EE07 ,  5F110GG13 ,  5F110GG15