特許

J-GLOBAL ID：200903094959548110

化合物半導体の結晶成長方法

発明者： 砂川 晴夫
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 尾身 祐助
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-338881
公開番号（公開出願番号）：特開平8-186080
出願日： 1994年12月29日
公開日（公表日）： 1996年07月16日
要約：

【要約】【目的】 量子井戸細線(井戸箱)をばらつきの少ない形状に形成しうるようにする。【構成】 [011]方向に6°傾けた(100)面を主面とするGaAs基板11上にSiO2 膜12を設け〔(a)図〕、これに[01 bar1]方向に走る開口部13を形成して、SiO2 膜ストライプ12aを形成する〔(b)図〕。気相成長(VPE)法によりGaAsを成長させ、表面に階段状の段差を有するGaAs成長層14を形成する〔(c)図〕。第1InGaP層17、GaAs井戸層18、第2InGaP層19を形成する〔(d)図〕。

請求項（抜粋）：

(1)結晶の低指数面から微傾斜した面を主面とする化合物半導体基板上に絶縁膜を形成する工程と、(2)前記絶縁膜を選択的にエッチングして前記半導体基板の表面を露出させる溝を複数本形成する工程と、(3)露出した半導体基板表面に選択的に半導体層が成長する気相成長法により半導体結晶を成長させ、前記絶縁膜を埋め込み階段状の表面を有する第1の半導体層を形成する工程と、(4)気相成長法により前記第1の半導体層上に半導体結晶を成長させ、前記第1の半導体層の階段状表面の段差部上に、量子効果を示す膜厚の第2の半導体層を形成する工程と、を含むことを特徴とする化合物半導体の結晶成長方法。

IPC (3件)：

H01L 21/205 ,  H01L 29/06 ,  H01L 29/80