特許
J-GLOBAL ID：200903094967706736
半導体発光素子
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
河村 洌 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-154693
公開番号（公開出願番号）：特開平9-008346
出願日： 1995年06月21日
公開日（公表日）： 1997年01月10日
要約：
【要約】【目的】 エピタキシャル成長工程の数を増やすことなく、簡単な製造工程で上部電極の下側に電流が流れるのを抑制し、外部に光を取り出すことができない場所で発光させるムダをなくして、発光した光を外部に効率よく取り出し、発光効率を向上させた半導体発光素子を提供する。【構成】 半導体基板1上に発光層6および電流拡散層5が少なくとも設けられた半導体チップの前記電流拡散層側の表面および前記半導体基板の裏面にそれぞれ電極9、10が設けられてなる半導体発光素子であって、前記表面に設けられる電極と前記半導体基板の裏面に設けられる電極とが前記発光層の面に関して対向する位置にはなく斜めの関係になるような位置に前記両電極がそれぞれ設けられている。
請求項（抜粋）：
半導体基板上に発光層および電流拡散層が少なくとも設けられた半導体チップの前記電流拡散層側の表面および前記半導体基板の裏面にそれぞれ電極が設けられてなる半導体発光素子であって、前記表面に設けられる電極と前記半導体基板の裏面に設けられる電極とが前記発光層の面に関して対向する位置にはなく斜めの関係になるような位置に前記両電極がそれぞれ設けられてなる半導体発光素子。
IPC (2件)：
FI (3件)：
H01L 33/00 A
, H01L 33/00 E
, H01L 21/20
