特許

J-GLOBAL ID：200903094968276883

薄膜圧電素子

発明者： 三須 幸一郎 ,  和高 修三 ,  永塚 勉 ,  木村 友則 ,  山田 朗 ,  前田 智佐子 ,  本多 俊久
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 高田 守 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-289804
公開番号（公開出願番号）：特開平8-148968
出願日： 1994年11月24日
公開日（公表日）： 1996年06月07日
要約：

【要約】【目的】 広帯域なフィルタや発振周波数範囲の広い共振器を実現し、成膜プロセス時の成膜条件への限定条件を緩和し、より良質な圧電薄膜を有する薄膜圧電素子を提供する。【構成】 半導体基板上に誘電体薄膜を有し、上記誘電体薄膜上に下地導電性膜を有し、上記下地導電性膜上に圧電セラミクス薄膜を有し、上記圧電セラミクス薄膜上に導電性電極パターンを有し、上記電極パターンを含む領域に対向する位置の上記半導体基板が取り除かれた構造とすることにより、より広帯域なフィルタや発振周波数範囲の広い共振器を実現する薄膜圧電素子を得ることができる。

請求項（抜粋）：

半導体基板と、上記半導体基板上に構成された圧電薄膜と、上記圧電薄膜の両面に構成された導電性膜とからなる薄膜圧電素子において、半導体基板上に誘電体薄膜を有し、上記誘電体薄膜上に下地導電性膜を有し、上記下地導電性膜上に圧電セラミクス薄膜を有し、上記圧電セラミクス薄膜上に導電性電極パターンを有し、上記導電性電極パターンを含む領域に対向する位置の上記下地導電性膜と上記半導体基板との間に空洞を有することを特徴とする薄膜圧電素子。

IPC (2件)：

H03H 9/17 ,  H03H 9/19

引用特許：

審査官引用 (5件)

• 圧電薄膜複合共振子およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-308693   出願人：株式会社村田製作所
• 共振周波数可変型共振子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-040557   出願人：株式会社村田製作所
• 特開平1-246911
  
• 特開平3-212969
  
• 特開昭57-028223