特許
J-GLOBAL ID：200903094974455005
一酸化炭素センサ
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
井出 直孝 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-146708
公開番号（公開出願番号）：特開2000-338072
出願日： 1999年05月26日
公開日（公表日）： 2000年12月08日
要約：
【要約】【目的】 酸化銅を主成分とするp型金属酸化物半導体を検出素子とする一酸化炭素センサの共存ガスに対する影響を排除し、一酸化炭素の選択性および安定性を向上する。【構成】 検出素子に被検出気体を導入する通路にNO,NO2 およびSO2 を吸収し一酸化炭素を通過するフィルタを配置する。
請求項（抜粋）：
酸化銅を主成分とするp型金属酸化物半導体を検出素子とする一酸化炭素センサにおいて、前記検出素子に被検出気体を導入する通路にNO,NO2 ,およびSO2を吸収し一酸化炭素を通過するフィルタを配置したことを特徴とする一酸化炭素センサ。
Fターム (18件)：
2G046AA11
, 2G046BA01
, 2G046BB02
, 2G046BC04
, 2G046BC08
, 2G046BD04
, 2G046BD06
, 2G046BE03
, 2G046BF05
, 2G046BG01
, 2G046DB05
, 2G046DC14
, 2G046DC16
, 2G046DC17
, 2G046DC18
, 2G046EB01
, 2G046FB02
, 2G046FE11
