特許

J-GLOBAL ID：200903094977409810

球状半導体素子の電極形成方法

発明者： 室園 幹夫 ,  廣嶋 義光
出願人/特許権者： 株式会社クリーンベンチャー二十一
代理人 (2件)： 石井 和郎 ,  河崎 眞一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-254454
公開番号（公開出願番号）：特開2004-095826
出願日： 2002年08月30日
公開日（公表日）： 2004年03月25日
要約：

【課題】微小な球状半導体素子表面の微細な曲面あるいは平面に、オーミックな接触抵抗と固有抵抗が小さい微小な電極を、内部短絡させることなく高精度で生産性良く形成することを目的とする。【解決手段】球状半導体素子の表面に、インクジェット方式により導電性インクを塗布し、これを熱処理することにより、少なくとも1つの電極を形成する。例えば、主として光電変換用に用いる球状半導体素子には、上記方法により球状の第1導電型半導体の露出面に第1電極を、第2導電型半導体層の外周面の一部に第2電極を、それぞれ形成する。【選択図】 図12

請求項（抜粋）：

表面に露出する電極を有する球状半導体素子の電極形成方法であって、前記球状半導体素子の表面に、インクジェット方式により導電性インクを塗布し、これを熱処理することにより、前記球状半導体素子の表面に少なくとも1つの電極を形成する工程を有することを特徴とする球状半導体素子の電極形成方法。

IPC (4件)：

H01L31/04 ,  H01L21/288 ,  H01L21/60 ,  H01L23/52

FI (4件)：

H01L31/04 H ,  H01L21/288 Z ,  H01L21/60 311Q ,  H01L23/52 C

Fターム (30件)：

4M104AA01 ,  4M104BB02 ,  4M104BB04 ,  4M104BB05 ,  4M104BB08 ,  4M104BB36 ,  4M104BB39 ,  4M104BB40 ,  4M104CC01 ,  4M104DD51 ,  4M104DD78 ,  4M104DD79 ,  4M104DD92 ,  4M104FF01 ,  4M104FF11 ,  4M104GG02 ,  4M104HH15 ,  4M104HH16 ,  5F044QQ06 ,  5F044RR02 ,  5F044RR03 ,  5F051AA01 ,  5F051BA14 ,  5F051CB27 ,  5F051CB29 ,  5F051DA03 ,  5F051EA13 ,  5F051FA06 ,  5F051FA13 ,  5F051FA30