特許

J-GLOBAL ID：200903094978980449

露光装置及びこれを用いた半導体製造方法

発明者： 加茂野 隆
出願人/特許権者： キヤノン株式会社
代理人 (1件)： 丸島 儀一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-263712
公開番号（公開出願番号）：特開平8-124837
出願日： 1994年10月27日
公開日（公表日）： 1996年05月17日
要約：

【要約】【目的】 レチクル透過率を短時間で且つ正確に求めることを可能にする。【構成】 レチクルカセット40から取り出されたレチクル1をレチクル搬送経路に沿って露光位置47へ搬送するレチクルハンド45と、レチクル1がレチクル搬送経路に沿って搬送されている間にレチクル1の透過率を測定する測定装置60を有する。

請求項（抜粋）：

レチクルカセットから取り出されたレチクルをレチクル搬送経路に沿ってレチクル露光位置へ搬送する搬送手段と、前記レチクルが前記レチクル搬送経路に沿って搬送されている間に前記レチクルの透過率を測定する測定手段を有することを特徴とする露光装置。

IPC (2件)：

H01L 21/027 ,  H01L 21/68

FI (2件)：

H01L 21/30 515 F ,  H01L 21/30 502 J

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 投影露光装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-310508   出願人：株式会社ニコン
• 特開平2-074024