特許
J-GLOBAL ID：200903094987839600
整流用半導体装置
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-250531
公開番号（公開出願番号）：特開平5-063184
出願日： 1991年09月03日
公開日（公表日）： 1993年03月12日
要約：
【要約】【目的】 順方向特性のチャネルシリ-ズ抵抗を増加させることなく、逆方向特性における電子ポテンシアルを高く保持し、かつ、逆漏れ電流の電圧依存性をなくして、高効率、高速の整流用半導体装置を得ることを目的とする。【構成】 トレンチ溝を設けた一導電型半導体表面の凸部上面にショットキ接触面を形成し、凹部底部に逆導電型半導体を形成し、又、凸部側壁部に絶縁物層を形成するように構成し、前記逆導電型半導体とショットキ接触金属層を同電位に電気接続し、又、少なくとも零電圧バイアス時の二つの空乏層がつながらないように構成する。
請求項（抜粋）：
複数のトレンチ溝を設けた一導電型半導体表面の凸部上面にショットキ接触をする金属層を形成し、凹部底部に逆導電型半導体領域を形成した整流用半導体装置において、凸部側壁部に絶縁物層を形成し、かつ、逆導電型半導体領域と凸部上面の金属層を同電位に電気接続し、該金属層をアノ-ド、前記一導電型半導体をカソ-ドとした少なくとも零電圧バイアス時に、前記一導電型半導体側にのびる前記逆導電型半導体領域からの空乏層と前記凸部上面のショットキ接触からの空乏層がつながらないように構成したことを特徴とする整流用半導体装置。
IPC (2件)：
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