特許

J-GLOBAL ID：200903094988320390

半導体装置の製造方法

発明者： 高橋 良治 ,  大施戸 治郎
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 曾我 道照 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-302501
公開番号（公開出願番号）：特開平6-151487
出願日： 1992年11月12日
公開日（公表日）： 1994年05月31日
要約：

【要約】【構成】 バンプ3を有する半導体素子1を、複数の金型8、9から構成される空間内に配置する第1の工程と、上記空間に樹脂6を注入・硬化することにより半導体素子1を樹脂封止する第2の工程とを有する半導体装置の製造方法において、第1の工程で、上記空間の高さをバンプ3の高さよりも低く構成し、バンプ3の上面を金型8の内面に圧接させて半導体素子1を上記空間内に配置することを特徴としている。【効果】 バンプ3上に樹脂6から成る薄バリが発生しないという効果がある。

請求項（抜粋）：

バンプを有する半導体素子を、複数の金型から構成される空間内に配置する第1の工程と、前記空間に樹脂を注入・硬化することにより前記半導体素子を樹脂封止する第2の工程と、を有する半導体装置の製造方法において、前記第1の工程で、前記空間の高さを前記バンプの高さよりも低く構成し、前記バンプの上面を前記金型の内面に圧接させて前記半導体素子を前記空間内に配置することを特徴とする半導体装置の製造方法。