特許

J-GLOBAL ID：200903094988523933

ポストの製造方法

発明者： ウィリアム ティー チョウ ,  ソロモン アイ ベイリン ,  デイヴィッド エイ ホリーン ,  デイヴィッド クズマ ,  マイケル ジー リー ,  ラリー ルイス モレスコ ,  ウェン-チョウ ヴィンセント ワン
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 伊東 忠彦 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-268731
公開番号（公開出願番号）：特開平9-199663
出願日： 1996年10月09日
公開日（公表日）： 1997年07月31日
要約：

【要約】【課題】 本発明は、断面積が高さ方向で一定に保たれた高アスペクト比の開口部をホトレジスト材に製造する簡単な方法の提供を目的とする。【解決手段】 本発明による相互連結ポストは、ポジ形ホトレジストの第1層を基板に形成し、ソフトベーク処理し、広い開口のマスクで短時間露光して製造される。第1層を現像しないで、第1層上にポジ形レジストの第2層が塗布され、ソフトベーク処理され、狭い開口のマスクで露光される。両層の現像の際に略均一断面の開口部をホトレジストに形成すべく第1層の非露光部の下を一部切り取るように、第2層のソフトベーク処理中にホトレジスト化合物中の活性剤が第1層の被露光部に拡散し、その溶解性を変える。開口部は、一体的な相互連結ポストを生成すべくメッキにより充填される。

請求項（抜粋）：

(a)ポジ形ホトレジストの第1の層を基板に形成する段階と、(b)該ポジ形ホトレジスト内の活性剤を部分的に分解し、現像液で溶けない量の光化学作用放射線で該第1の層を露光する段階と、(c)ポジ形ホトレジストの第2の層を該第1の層の上に塗布する段階と、(d)該第1の層及び該第2の層のポジ形ホトレジストが現像液で溶ける量の光化学作用放射線で該第1の層及び該第2の層をパターン露光する段階と、(e)該第1の層及び該第2の層に開口部を形成するため、該第1の層及び該第2の層を現像する段階とからなる、基板に開口部を形成する方法。

IPC (2件)：

H01L 23/52 ,  G03F 7/26 511

FI (2件)：

H01L 23/52 C ,  G03F 7/26 511

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平4-256393
  
• 特開昭61-133626
  
• 特開平2-118653